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IXTH 22N50P IXTQ 22N50P
IXTV 22N50P IXTV 22N50PS
35
30
Fig. 7. Input Adm ittance
40
35
Fig. 8. Transconductance
25
20
30
25
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
20
15
10
5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
5
10
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20
25
30
35
40
70
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
60
50
40
8
7
6
5
I D = 11A
I G = 10mA
30
T J = 125 o C
4
20
T J = 25 o C
3
2
10
1
0
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
f = 1MHz
R DS(on) Limit
1000
100
C iss
C oss
10
25μs
100μs
1ms
10
C rss
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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